超低功耗CMOS 16Mbit SRAM

美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车,通信,数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP(I型)中。

功能说明
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。

待机模式
取消选择时,设备进入待机模式(HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH)。输入和输出引脚(I / O0-15)处于高阻抗状态。根据输入电平,此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。

写模式
选择芯片时(LOW和CS2 HIGH),写使能()输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚(I / O0-15)处于数据输入模式。即使为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW,来自I / O引脚(I / O0至I / O7)的数据被写入该位置。

在地址引脚上指定。处于低电平时,来自I / O引脚(I / O8至I / O15)的数据被写入该位置。

读取模式
选择芯片时(LOW和CS2为HIGH),写使能()输入为HIGH时,读操作出现问题。当为低电平时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW,来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时,来自内存的数据将出现在I / O8-15上。

在读取模式下,可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式,因此使用有功电流。

工作温度范围
商用工作温度为0°C至+ 70°C ,电压为2.2V 3.3V 3.6V
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ,电压为2.2V 3.3V 3.6V
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C,电压为2.2V 3.3V 3.6V

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