32Mb高速低功耗异步SRAM

ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM,这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的访问时间。

ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM,组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。

这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。

当CS#为高电平(取消选择)时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE#)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB#)和低字节(LB#)。

该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP(TYPE I)和48引脚微型BGA(6mm x 8mm)封装,应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。

ISSI.jpg

SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。

待机模式
取消选择时,设备进入待机模式(CS#高)。输入和输出引脚(I / O0-15)处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。

写模式
选择芯片(CS#)且写使能(WE#)输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚(I / O0-15)处于数据输入模式。即使OE#为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB#和LB#启用字节写入功能。通过将LB#设为低电平,将来自I / O引脚(I / O0至I / O7)的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB#为低电平时,来自I / O引脚(I / O8至I / O15)的数据被写入该位置。

读取模式
选择芯片时(CS#为低电平),写使能(WE#)输入为高电平时,读操作出现问题。当OE#为LOW时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB#和LB#启用字节读取功能。通过启用LB#LOW,来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB#为低电平时,来自内存的数据出现在I / O8-15上。

在读取模式下,可以通过将OE#拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式,因此使用有功电流。

上电初始化
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
当VDD达到稳定水平时,器件需要150us的tPU(上电时间)来完成其自初始化过程。
初始化完成后,设备即可正常运行。

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