FUJITSU代理FRAM 2MBit SPI MB85RS2MTA

英尚微电子

富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。能够保持数据,而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采用串行外围设备接口SPI。

MB85RS2MTA中使用的存储单元可用于1013个读/写操作,与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比,有了显着改进。MB85RS2MTA不需要花费很长时间就可以写入闪存或E2PROM之类的数据,MB85RS2MTA不需要等待时间。FUJITSU代理可提供产品相关技术支持。

MB85RS2MTA特征
•位配置:262,144字x8位
•串行外围设备接口:SPI(串行外围设备接口)
对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率:40MHz(最大)
•高耐久性:1013次/字节
•数据保留:10年(+ 85°C),95年(+ 55°C),200年以上(+ 35°C)
•工作电源电压:1.8 V至3.6 V
•低功耗:工作电源电流2.3mA(最大@40 MHz)
待机电流50μA(最大值)
休眠电流10μA(最大值)
•工作环境温度(温度范围:-40°C至+ 85°C
•封装:8针塑料SOP(FPT-8P-M09)
8针塑料DIP(DIP-8P-M03)
符合RoHS

引脚

FRAM具有特性能成就技术“硬核”,FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外,FRAM还具备三大主要优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时FRAM写入数据可在150ns内完成、速度约为EEPROM的1/30,000,写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400,在电池供电应用中具有优势。与传统的存储技术相比,FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。

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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

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