Everspin代理256Mb ST-DDR3自旋转移扭矩MRAM

英尚微电子

Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能,包括设备端接(ODT)和内部ZQ校准,但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术,不需要刷新单元,从而大大简化了系统设计并减少了开销。

所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步,输入锁存在时钟交叉点。 I / O与一对双向选通脉冲(DQS,DQS)同步。该器件使用RAS / CAS多路复用方案,并在1.5V下工作。

特征
•非易失性256Mb(32Mb x 8,16Mb x 16)DDR3
•支持标准DDR3 SDRAM功能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达667MHz fCK(1333MT /秒/针)
•页面大小为512位(x8)或1024位(x16)
•设备上终止
•片上DLL将DQ,DQS,DQS转换与CK转换对齐
•所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
•突发长度为8,可编程突发斩波长度为4
•标准10x13mm 78球(x8)或96球(x16)BGA封装

DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC标准JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3标准完全兼容。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源,已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下,命令时间会有所不同。
•DDR3标准适用于高于256Mb的密度,从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持CA <2:0 = 000或100的连续突发类型。请参见第30页的“突发长度,类型和顺序”。

基本功能
DDR3 STT-MRAM是内部配置为八存储区RAM的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与旨在在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR3 MRAM的单个读或写操作包括内部STT-MRAM内核的单个8n位宽,四个时钟数据传输以及I/O引脚上的两个相应的n位宽,半时钟周期数据传输。

对DDR3 STT-MRAM的读和写操作是面向突发的,从选定的位置开始,并按照编程的顺序继续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活活动命令的注册开始,然后是READ或WRITE命令。与激活命令一致注册的地址位用于选择要激活的存储体和行([BA0:BA2]选择存储体; A0-A13选择行);有关特定要求,与READ或WRITE命令一致的已注册地址位用于选择突发操作的起始列位置,确定是否要发出自动预充电命令(通过A10),并“即时”选择BC4或BL8模式。 (通过A12)(如果在模式寄存器中启用)。在正常操作之前,必须以预定义的方式上电并初始化DDR3 STT-MRAM。

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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

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