富士通代理SPI FRAM存储器64K MB85RS64

英尚微电子

富士通FRAM是新一代非易失性存储器,其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用,包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。本篇文章代理商英尚微电子介绍富士通串行FRAM存储器64K MB85RS64。

■描述
MB85RS64是一款8,192字×8位配置的FRAM(铁电存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS64采用串行外设接口(SPI)。MB85RS64能够在不使用备用电池的情况下保留数据,这是SRAM所需要的。

MB85RS64采用的存储单元可进行1010次读写操作,相比Flash存储器和E2PROM支持的读写操作次数有显著提升。MB85RS64不像闪存和E2PROM那样需要很长时间来写入数据,并且MB85RS64不需要等待时间。

■特点
•位配置:8,192字×8位
•Serial Peripheral Interface:SPI对应SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率:20MHz(最大)
•高耐用性:100亿次读/写
•数据保留:10年(+85℃)
•工作电源电压:2.7V至3.6V
•低功耗:工作电源电流1.5(TBD)mA(Typ@20MHz)待机电流10μA(TBD)(Typ)
•工作环境温度范围:-40℃至+85℃
•封装:8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS

引脚分配

独立FRAM提供了将 FRAM 同化到任何需要高速非易失性存储器的系统的灵活性。 FRAM不需要电池来备份其数据,从而在整个系统中节省了大量成本和电路板空间。它可以用于存储设备的设置、配置、状态,并且数据可以在以后使用。这些存储的数据可用于重置设备、分析上次状态和激活恢复操作。逐字节随机访问使内存管理更有效。

FRAM只是一种像ram一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配ROM和RAM 存储器映射。它为最终用户创造了在底层对FRAM进行编程以根据他们的个人进行定制的机会.

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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆...

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