国产串口PSRAM外扩芯片EMI7064LSME

英尚微电子

在现有的单片机MCU的设计上,由于片内RAM空间不足,想要解决这个问题要么换更大RAM的MCU,要么就外扩PSRAM。方案选择主要有两个问题需要考虑:1.PSRAM的数据位数;2.是否使用锁存器。由于IO口资源有限,同时为保证片外PSRAM的速度。

由于单片机RAM内存比较小,限制了很多单片机MCU在智能硬件上的应用,在一般的存储芯片中PSRAM是属于伪静态SRAM存储芯片,PSRAM具有SRAM一样的简单明了的接口设置,也不需要像DRAM那样需要刷新,却具有DRAM单管的工艺结构,可以在相同单位面积的die(裸片)切割更多的存储芯片,价格相对比SRAM要便宜,在早期的应用中,比较常见的是像智能手机,电子字典等,或者比如展讯的SC6530、锐迪科的8851、MTK的6250等都有集成Psram的嵌入。

外扩PSRAM一般用做内存使用,应用程序的数据就是映射到片外的。所以PSRAM的可靠性必须要保证,必须是零容忍。不然就会出现异常死机的情况。这对于产品来说是绝对不允许的。所以虽然硬件软件已经通了,但对PSRAM的压力测试还是很有必要的。

我司英尚微推出的EMI产品EMI7064LSME正是一款串行pSRAM器件,容量64Mbit,一般来说如果外扩单片机MCU的RAM资源的话,需要占用单片机的大量的管脚,而EMI7064LSME这个器件只需要单片机支持SPI接口或者Quad SPI接口就可以实现RAM资源外扩,非常适合于各类智能硬件的应用如图像处理、数据加密、语音处理、流媒体应用、数据采集、通信数据处理等。

国产pSRAM伟凌创芯(EMI)64Mbit Serial SRAM,支持1.8v & 3.0V 64Mbit 的SPI/QPI SRAM设备。该RAM可配置为1位输入和输出独立或4位I/O公共接口。所有必要的刷新操作都由设备本身负责。EMI代理商支持提供样品测试及产品解决方案。

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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆...

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