cypress代理4Mbit铁电存储器CY15B104QSN

英尚微电子

cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(即FRAM)与RAM相同,是执行读和写操作的易失性存储器。它提供151年的可靠数据保留时间,并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。

与串行闪存不同的是,CY15B104QSN以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后,数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。与其他非易失性存储器相比,该产品提供了更多的擦写次数。CY15B104QSN能够提供1014次的读/写周期,或支持比EEPROM多1亿次的写周期。由于具有这些特性,因此CY15B104QSN非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集(其中写周期数量是非常重要的)到满足工业级控制(其中串行Flash的较长写时间会使数据丢失)。

CY15B104QSN将4Mbit FRAM与高速度四线SPI(QPI)SDR和DDR接口相结合,从而增强铁电存储器技术的非易失性写入功能。该器件包含一个只读的器件ID和唯一ID特性,通过它们,SPI总线主设备可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一ID。该器件包含一个唯一只读序列号,可用来识别某个电路板或系统。

该器件支持片上ECC逻辑,可以在每个8字节数据单元内检测和纠正单比特错误。该器件还包含在8字节数据单元中提供双比特错误报告的扩展功能。CY15B104QSN还支持循环冗余校验(CRC),可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。代理商英尚微支持提供产品技术支持。

性能
■4Mbit铁电性随机存取存储器(FRAM)的逻辑组织方式为512Kx8
❐提供了一百万亿次(1014)的读/写周期,几乎为无限次数的耐久性。
❐151年数据保留时间
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■单线和多线I/O串行外设接口(SPI)
❐串行总线接口SPI协议
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1),适用于所有SDR模式转换
❐支持SPI模式0(0,0),适用于所有DDR模式转换
❐扩展型I/OSPI协议
❐双线SPI(DPI)协议
❐四线SPI(QPI)协议
■SPI时钟频率
❐最高108MHz频率SPI的单倍数据速率(SDR)
❐最高54MHz频率SPI的双倍数据速率(DDR)
■芯片内执行(XIP)模式下的存储器读/写操作
■写入保护,数据安全性,数据完整性
■使用写保护(WP)引脚提供硬件保护
■软件模块保护
■提高数据完整性的纠错码(ECC)和循环冗余校验(CRC)
❐检测并纠正但比特错误的ECC。在发生双比特错误时,它将不纠正错误,但将通过ECC状态寄存器进行错误报告
❐CRC将检测原始数据的任意意外更改
■扩展的电子签名
❐器件ID包含制造商ID和产品ID
❐唯一ID
❐用户可编程序列号。
■专用256字节特殊扇区FRAM
❐专用特殊扇区写和读操作
❐内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变
■高速度,低功耗
❐SPISDR频率为108MHz时,有效电流为10mA(典型值)
❐QSPISDR频率为108MHz并且QSPIDDR频率为54MHz时,有效电流为16mA(典型值)
❐待机电流为110µA(典型值)
❐深度掉电模式电流为0.80µA(典型值)
❐休眠模式电流为0.1µA(典型值)
■低电压操作:
❐CY15B104QSN:VDD=1.8V到3.6V
■工作温度范围:–40℃到+85℃
■封装
❐8pin小型塑封集成电路(SOIC)封装
❐8pin网格阵列四方扁平无引线(GQFN)封装
■符合有害物质限制标准(RoHS)

CY15B104QSN是一个串行FRAM存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 524,288 ×8 位。通过使用工业标准的串行外设接口(SPI)总线可以访问该存储器阵列。FRAM 的功能操作与单线SPI EEPROM或单线/双线/四线SPI闪存的功能操作相同。CY15B104QSN与具有相同引脚分布的串行闪存之间的主要区别在于FRAM具有更好的写性能、高的耐久性和较低的功耗。

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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆...

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