赛普拉斯代理256Kbit串行FRAM存储芯片FM25V02A

英尚微电子

功能概述
FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的;与RAM相同,它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间,并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。

与串行闪存和EEPROM不同,FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后,数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比,该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期,或支持比EEPROM多1亿次的写周期。

由于具有这些特性,因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集(其中写周期数量是非常重要的)到苛刻的工业控制(其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失)。

作为硬件替代时,FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线,从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID,通过该ID,主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范围内,该设备规范得到保证。

特性
■256Kbit铁电性随机存储器(FRAM)被逻辑组织为32K×8
❐高耐久性:100万亿(1014)次的读/写操作
❐151年的数据保留时间
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■非常快的串行外设接口(SPI)
❐频率高达40MHz
❐串行闪存和EEPROM的硬件直接替代
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■精密的写入保护方案
❐使用写保护(WP)引脚提供硬件保护
❐使用写禁用指令提供软件保护
❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护
■设备ID
❐制造商ID和产品ID
■低功耗
❐频率为40MHz时,有效电流为2.5mA
❐待机电流为150mA
❐睡眠模式电流为8mA
■工作电压较低:VDD=2.0V到3.6V
■工业温度范围:–40℃~+85℃
■封装
❐8引脚小外型集成电路(SOIC)封装
❐8引脚扁平无引脚(DFN)封装
■符合有害物质限制(RoHS)

封装引脚

FM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的,执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆...

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