ube>Uon（开启电压）时，发射区自由电子由扩散运动到达基区 ，此时发射区、基区和集电区都有了自由电子，集电极C和发射极E相当于导通了，这时可以把晶体管等效于一根导线，如上图所示（基本共射放大电路）。当然这个图不是完全正确，但不影响这个问题的分析。
此时无论管压降uce>ube或uce<ube,即无论集电极c的电位大于或小于基极电位，Rc这路都是有电流的，并且总是从上至下（从集电极c到发射极e），因为这股电流的能量都来自Vcc，而Vcc的电压方向是已经固定的。
即使将基极短路，也就是去掉基极，集电极和发射极也有电流，这个电流称为穿透电流。穿透电流越小，晶体管的质量越好。
至于放大区要求uce≥ube的原因：集电区无法从发射区直接搬运自由电子（以下简称电子），得等到Ube把电子从发射区搬运到基区后，集电区再从基区搬运一定比例的电子，至于这个比例的多少由管压降Uce决定。
那么有人要说了，饱和时，uce<ube，为什么基区没有从集电区搬运电子呢？或者说为什么ic的电流方向没有反过来？这是因为晶体管的结构造成的，集电区只挨着一个基区，搬运电子的来源只能是基区。而基区上边是集电区，下边是发射区。饱和时，uce电压虽然接近零，但还是有一点的，而且集电区的大后方还有一个电源Vcc。比较下，发射区是个软柿子，而且发射区连接着大地，所以从发射区搬运电子无压力，所以，即使uce再低，ube再高，基区还是会选择从发射区搬运电子。
从路径上分析，集电区从基区搬运电子，电流ic走的通路是：Vcc正-Rc-集电区-基区-发射区-Vcc负（大地），只是经过了基区，抗衡的只是基区的电位。但基区要想从集电区搬运电子，走的通路就是：Vbb正-Rb-基区-集电区-Rc-Vcc-Vbb负（大地），他要对抗的是Vcc这个强大军团。事实上Vcc>Vbb，以保证放大区集电结可以反偏。图中一个画了四条横线，一个只画了两条横线，以示大小。
概括说，基极-发射极的电压ube影响晶体管的开启和关闭，无法影响到集电极-发射极电流ic。集电极-发射极电压uce大时，ic增大。当uce变小时，也就是ic无法继续增大时，就是大家说的饱和状态。
————参考书籍
《模拟电子技术基础》（第五版）高等教育出版社 童诗白 华成英著
**粗体** _斜体_ [链接](http://example.com) `代码` - 列表 > 引用。你还可以使用@来通知其他用户。