台积电首次公布 3nm 工艺详情:量产延期,依旧采用 FinFET 技术

思否编辑部

台积电.jpg

技术编辑:王治治丨发自 SiFou NewOffice
SegmentFault 思否报道丨公众号:SegmentFault


尽管 2020 年全球半导体行业会因为疫情导致下滑,但台积电的业绩不降反升,掌握着 7nm、5nm 先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上,台积电也首次正式宣布 3nm 工艺详情,预定在 2022 年下半年量产。


台积电原本计划 4 月 29 日在美国举行技术论坛,正式公布 3nm 工艺详情,不过这个技术会议已经延期到 8 月份,今天的 Q1 财报会议上才首次对外公布 3nm 工艺的技术信息及进度。

台积电表示,3nm 工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在 2021 年进入风险试产阶段,2022 年下半年量产。

在 3nm 工艺资金投入上,台积电已投入约 500 亿美元,仅建厂一项就至少 200 亿美元,原计划 6 月份试产,不过受疫情影响现在要延期到 10 月份了。

在技术路线上,台积电评估多种选择后认为现行的 FinFET 工艺在成本及能效上更佳,所以 3nm 首发依然会是 FinFET 晶体管技术。

在 3nm 节点上,台积电最大的对手是三星。三星早在去年就宣布了 3nm GAE 工艺,将在 3nm 节点放弃 FinFET 晶体管,转向 GAA 环绕栅极晶体管工艺。与普通的 FinFET 相比,该技术允许将晶体管堆叠在彼此的顶部,从而使其固有地使用更少的空间。MCBFET GAA 晶体管可灵活调节其晶体管宽度,这意味着整个堆叠晶体管的宽度可达到设计人员所需的宽度。

和 7nm FinFET 工艺相比,3nm GAE 工艺号称可将核心面积减少 45%,功耗降低 50%,性能提升 35%。

三星之前计划在 2021 年量产,但在近期的一份报告中称,三星 3nm 工艺量产时间可能已经延期至 2022 年。业内消息人士指出,这并非工艺制造上的延迟,而是因为 EUV 光刻机等关键设备在物流上的延迟所致。

因此,台积电与三星谁能首发 3nm 技术,仍未可知。


随着 3nm 工艺的临近,人类正在逼近硅基半导体的极限,此前台积电有信心将工艺推进到 2nm 甚至 1nm,但到现在为止也仅仅是一纸空谈,仍未有相关的研究成果产出。也正因如此,业界认为 3nm 工艺很有可能就是 CPU 等芯片的极限了。

不过讨论这个问题还为时尚早,台积电之所以仍未放弃 FinFET 技术,拥抱可能更适合 3nm 的 GAA,就是因为其 2020 年最大的关注点仍是 5nm 技术。2020 年 Q2,台积电不出意外将面临苹果 A14 处理器和华为麒麟 1020 处理器的量产压力。因此,台积电的保守可能也是一出“缓兵之计”。

clipboard.png

阅读 2.1k

SegmentFault_行业快讯
第一时间为开发者提供行业相关的实时热点资讯

思否编辑部官方账号,欢迎私信投稿、提供线索、沟通反馈。

3k 声望
105k 粉丝
0 条评论

思否编辑部官方账号,欢迎私信投稿、提供线索、沟通反馈。

3k 声望
105k 粉丝
文章目录
宣传栏