N-MOS与P-MOS的区别

NMOS管是压控型器件，其栅极（G极）与源极（S极）之间的电压VGS大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通。当VGS电压小于开启电压时，内部沟道截止。VGS电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小。需要注意的是，VGS电压不能超过芯片允许的极限电压。NMOS管一般作为低端驱动器件，源级S接地。所以，NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5-10V（G电位比S电位高）。

PMOS管的使用原理与NMOS类似，只不过PMOS管的源级（S极）接电源VCC，S极电压固定。只需G极电压比S极低6V即可导通。使用PMOS管当上管时，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计。所以，PMOS管的主回路电流方向是S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5-10V（S电位比G电位高）。