台积电推出性能增强的7nm和5nm制造工艺

据anandtech报道，台积电目前已悄然推出7nm深紫外DUV（N7）和5nm极紫外EUV（N5）制造工艺的性能增强（Plus）版本。

台积电新的N7P工艺采用与N7相同的设计规则，优化了前端（FEOL）和中端（MOL），可在相同功率下将性能提升7%，或者在相同的频率下降低10%的功耗。但并没有改变晶体管密度。

N5P同样采用了FEOL和MOL优化功能，在相同功率下使芯片运行速度提高7%，在相同频率下将功耗降低15%。

N7P和N5P技术专为要求7nm芯片运行更快，能耗更低的客户设计。

而对于需要更高晶体管密度的客户，台积电预计将使用N7+N6工艺技术。