驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者阅读和收藏文章中推荐的资料以作参考。

一个EasyPACK™ 2B 1200V 100A六单元IGBT模块，周长20cm，占板面积27cm²，很小，在四周要安排布置6路驱动和4-6路隔离电源并不容易，如果需要正负电源就更复杂。

在电动汽车（EV）领域，OBC设计的一个关键目标是提升功率密度，因为更轻的产品会给汽车减重从而有利于增加续航里程。从增加续航的角度来说：效率是实现这一目标的一个方面，这点SiC相对于Si来说，当然更有优势；另一方面，器件封装和散热设计也助力实现这一目标，尤其是在提高功率密度方面的作用越来越大。

英飞凌在开发电容式微机械超声波传感器（CMUT）技术方面取得重大进展。凭借这项技术，公司推出首款高度集成的单芯片解决方案，该方案基于微机电系统（MEMS）的超声波传感器，拥有更小的占板面积以及更强大的性能和功能，可广泛用于开发新型超声波应用和改进消费电子、汽车工业与医疗技术领域的现有应用。

在英飞凌，我们一直坚信卓越的音频解决方案对于提升消费类设备的用户体验至关重要。我们坚定不移地致力于创新，在主动降噪、语音透传、录音室录音、音频变焦和其他相关技术方面取得了显著进步，对此我们深感自豪。作为MEMS麦克风的领先供应商，英飞凌集中资源改善MEMS麦克风的音频质量，为TWS和耳罩式耳机、笔记本电脑、...

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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