铁电存储器FM24V05与贝岭BL24CM1A的对比

一、铁电存储器FM24V05

1、寻址方式

512-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)logically organized as 64 K × 8
512Kbit即有512K位，512/8=64KB，64*1024 = 65536个字节，16进制表示为0x10000，存储的寻址方式即为两个字节。

其中A2，A1，A0为存储器地址，受硬件电平控制，例如A2高电平，A1低电平，A0为高电平，写操作时操作地址即为0xaa；若A2、A1、A0为低电平时，写操作时操作地址即为0xa0。

2、铁电存储器简介

铁电物质是一种具有兼具铁电性和半导体性的特殊材料。铁电性是指铁电材料的极化方向可以随外电场的变化而反转，即极化方向具有可逆性。铁电存储器就是以铁电材料作为存储介质，利用铁电性的可逆特性，存储和读取数据的非挥发性电子存储器。

3、铁电存储器优势

（1）高速读写能力

相比动态随机存储器（DRAM）和闪存存储器，铁电存储器具有更高的读写速度和更低的反转速度。其原因是铁电存储器的读写速度取决于电容器的充电和放电速度，而反转速度则受电场大小和压电系数的参与。因此，铁电存储器不仅适合于存储需要大体积的信息，同时也能够在较小的空间内快速读取和写入数据。

（2）功耗低

铁电存储器的功耗极低，且功耗与存储器的大小和时间无关。在电场不变的情况下，铁电材料只有在其临界电场达到之后翻转，因此能够降低功耗。而雷电等外界电磁干扰对铁电存储器的影响也十分小，这进一步提高了铁电存储器的可靠性。

（3）良好的安全性能

铁电存储器的数据安全性能良好。铁电存储器的存储能力和灵敏度依赖于电场大小，当电场值为0时，则电容器内储存的信息是不会改变的。这种特性使得铁电存储器非常适合于电子票据、智能卡以及需要保护个人隐私信息的存储应用。

二、贝岭BL24CM1A

1、寻址方式

1024 Kbits (128 Kbytes) of EEPROM
1024Kbit即有1024K位，1024/8=128KB，128*1024 = 131072个字节，16进制表示为0x20000，存储的寻址方式即为两个字节。存储寻址方式即为两个字节外加一个Bit16；

当写高位时>0x10000,<0x20000时，将bit16置1，低位时<0x10000时将bit16置0。同时加两个字节寻址。
其中A2，A1为存储器地址，B16为bit16，受硬件电平控制，例如A2高电平，A1低电平，B16为高电平，写操作时操作地址即为0xaa，写存储器高位；若A2、A1、B16为bit16为低电平时，写操作时操作地址即为0xa0，写存储器低位。