主要观点：铁电存储器（FRAM）是一种将比特存储在特殊“铁电”材料中的有趣存储技术，具有非易失性、写数据快、更耐用等优点，但成本高导致仅用于小众应用。
关键信息：

• 1950 年代起许多公司研究 FRAM，后因问题大多放弃，1984 年 Ramtron 重新开始，1999 年有 64 千位的 FRAM 芯片。
• FRAM 利用铁电材料的特性存储数据，通过极化铁电材料正负来表示 0 和 1，读取会破坏存储值需写回。
• 芯片结构复杂，包括存储单元、驱动器、感测放大器等，制造需特殊工艺和材料，成本高。
• 虽有优势但未获预期成功，Ramtron 被收购后仍在销售，目前成本约为闪存的 3 倍。
  重要细节：
• 芯片使用锆钛酸铅（PZT）作为铁电材料，通过施加电场使钛或锆原子在晶格内移动产生铁电效应。
• 每个比特用两个电容器存储相反值以区分 0 和 1，后期采用单电容器提高密度。
• 芯片的制造流程包括多个特殊步骤，如处理 PZT 材料、金属离子污染等。
• 芯片的感测放大器用于读取数据，板驱动器产生脉冲，每个板线连接到晶体管。
• 芯片包装为 8 引脚 DIP，有特定的逻辑结构和引脚功能。