本课程由浙江大学百人计划研究员、博士生导师赵亮教学。本课程将系统性介绍SRAM、DRAM和闪存（NAND R Flash）这三类主流存储器技术的物理原理和电路结构，并揭示其在AI时代通过架构创新实现功能跃迁的技术路径。具体而言，课程将结合最新研究进展，介绍SRAM的多种存内计算模式、DRAM存算一体研究进展以及闪存的多值/非易失存储特性在模拟存算中的独特应用。最后，课程还将结合当前AI大模型的算力需求，探讨这些新架构在边缘计算、自动驾驶、具身智能等新兴领域的应用前景。