存算一体作为未来第三级算力架构，传统存储器外，探索新的存储介质，RRAM，PCM，MRAM，FeRAM；此外在存储器未来展望上，聚焦反铁磁器件的全电操控与阵列化，具有零净磁矩的反铁磁材料具有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力，在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面具有巨大的应用潜力，被认为是下一代自旋信息器件非常重要的候选载体材料。同时基于MRAM的概率计算以及基于 VCMA（电压调控磁各向异性）的概率计算也是未来的发展方向。